0 0 0
  8. IXBH16N170A

Транзисторы IGBT THT IXBH16N170A

 
IXBH16N170A
 
IXYS
Артикул: 221058
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
986.01 грн
3+
931.98 грн
30+
896.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
1,7кВ(1440940)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
10А(1440949)
Струм колектора в імпульсі
40А(1645250)
Час ввімкнення
43нс(1519214)
Час вимкнення
370нс(1711184)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
150Вт(1701910)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний(1698741)
Заряд затвора
65нКл(1479501)
Технологія
BiMOSFET™(1742772)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,085 g
 
Транзисторы IGBT THT IXBH16N170A
IXYS
Артикул: 221058
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
986.01 грн
3+
931.98 грн
30+
896.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
1,7кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
10А
Струм колектора в імпульсі
40А
Час ввімкнення
43нс
Час вимкнення
370нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
150Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний
Заряд затвора
65нКл
Технологія
BiMOSFET™
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,085 g