0 0 0
  8. IXBH42N170

Транзисторы IGBT THT IXBH42N170

 
IXBH42N170
 
IXYS
Артикул: 221061
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 42А; 360Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 717.76 грн
2+
1 624.01 грн
30+
1 589.84 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
1,7кВ(1440940)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
42А(1441031)
Струм колектора в імпульсі
300А(1441736)
Час ввімкнення
224нс(1742884)
Час вимкнення
1,07мкс(1742885)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
360Вт(1702121)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний(1698741)
Заряд затвора
188нКл(1711211)
Технологія
FRED(1714399) BiMOSFET™(1742772)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,1 g
 
Транзисторы IGBT THT IXBH42N170
IXYS
Артикул: 221061
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 42А; 360Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 717.76 грн
2+
1 624.01 грн
30+
1 589.84 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
1,7кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
42А
Струм колектора в імпульсі
300А
Час ввімкнення
224нс
Час вимкнення
1,07мкс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
360Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний
Заряд затвора
188нКл
Технологія
FRED
Технологія
BiMOSFET™
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,1 g