0 0 0
  8. IXBH6N170

Транзисторы IGBT THT IXBH6N170

 
IXBH6N170
 
IXYS
Артикул: 221064
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
630.85 грн
2+
568.88 грн
3+
566.50 грн
5+
537.89 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
1,7кВ(1440940)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
6А(1440922)
Струм колектора в імпульсі
36А(1742888)
Час ввімкнення
104нс(1742889)
Час вимкнення
700нс(1441630)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
75Вт(1701926)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний(1698741)
Заряд затвора
17нКл(1479101)
Технологія
BiMOSFET™(1742772)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,11 g
 
Транзисторы IGBT THT IXBH6N170
IXYS
Артикул: 221064
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
630.85 грн
2+
568.88 грн
3+
566.50 грн
5+
537.89 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
1,7кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
6А
Струм колектора в імпульсі
36А
Час ввімкнення
104нс
Час вимкнення
700нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
75Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний
Заряд затвора
17нКл
Технологія
BiMOSFET™
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,11 g