0 0 0
  8. IXBK55N300

Транзистори IGBT THT IXBK55N300

 
IXBK55N300
 
IXYS
Артикул: 221066
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 55А; 625Вт; TO264
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
7 565.47 грн
10+
7 442.32 грн
25+
7 274.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 25 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264(1492053)
Напруги колектор-емітер
3кВ(1742767)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
55А(1478925)
Струм колектора в імпульсі
600А(1441748)
Час ввімкнення
637нс(1751810)
Час вимкнення
475нс(1441625)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
625Вт(1741891)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний(1698741)
Заряд затвора
335нКл(1747346)
Технологія
BiMOSFET™(1742772)
Додаткова інформація: Маса брутто: 9,87 g
 
Транзистори IGBT THT IXBK55N300
IXYS
Артикул: 221066
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 55А; 625Вт; TO264
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
7 565.47 грн
10+
7 442.32 грн
25+
7 274.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 25 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO264
Напруги колектор-емітер
3кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
55А
Струм колектора в імпульсі
600А
Час ввімкнення
637нс
Час вимкнення
475нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
625Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний
Заряд затвора
335нКл
Технологія
BiMOSFET™
Додаткова інформація: Маса брутто: 9,87 g