0 0 0
  7. IXBN42N170A

Модулі IGBT IXBN42N170A

 
IXBN42N170A
 
IXYS
Артикул: 268831
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 557.35 грн
10+
2 514.85 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 8 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
1,7кВ(1441074)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
21А(1586622)
Струм колектора в імпульсі
265А(1746884)
Потужність розсіювання
313Вт(1741812)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний(1698741)
Технологія
BiMOSFET™(1742772)
Додаткова інформація: Маса брутто: 36,86 g
 
Модулі IGBT IXBN42N170A
IXYS
Артикул: 268831
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 557.35 грн
10+
2 514.85 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 8 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
1,7кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
21А
Струм колектора в імпульсі
265А
Потужність розсіювання
313Вт
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний
Технологія
BiMOSFET™
Додаткова інформація: Маса брутто: 36,86 g