0 0 0
  8. IXBT10N170

Транзистори IGBT SMD IXBT10N170

 
IXBT10N170
 
IXYS
Артикул: 220542
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
748.23 грн
2+
674.12 грн
3+
671.73 грн
5+
636.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 29 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268(1625135)
Напруги колектор-емітер
1,7кВ(1440940)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
10А(1440949)
Струм колектора в імпульсі
40А(1645250)
Час ввімкнення
63нс(1695186)
Час вимкнення
1,8мкс(1444694)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
140Вт(1740827)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний(1698741)
Заряд затвора
30нКл(1479265)
Технологія
BiMOSFET™(1742772)
Додаткова інформація: Маса брутто: 4 g
 
Транзистори IGBT SMD IXBT10N170
IXYS
Артикул: 220542
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
748.23 грн
2+
674.12 грн
3+
671.73 грн
5+
636.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 29 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268
Напруги колектор-емітер
1,7кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
10А
Струм колектора в імпульсі
40А
Час ввімкнення
63нс
Час вимкнення
1,8мкс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
140Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний
Заряд затвора
30нКл
Технологія
BiMOSFET™
Додаткова інформація: Маса брутто: 4 g