0 0 0
  8. IXBT16N170AHV

Транзистори IGBT SMD IXBT16N170AHV

 
IXBT16N170AHV
 
IXYS
Артикул: 220544
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268HV
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
985.33 грн
3+
932.22 грн
30+
930.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 19 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268HV(1500575)
Напруги колектор-емітер
1,7кВ(1440940)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
10А(1440949)
Струм колектора в імпульсі
40А(1645250)
Час ввімкнення
43нс(1519214)
Час вимкнення
370нс(1711184)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
150Вт(1701910)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний(1698741)
Заряд затвора
65нКл(1479501)
Технологія
BiMOSFET™(1742772)
Додаткова інформація: Маса брутто: 3,93 g
 
Транзистори IGBT SMD IXBT16N170AHV
IXYS
Артикул: 220544
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268HV
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
985.33 грн
3+
932.22 грн
30+
930.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 19 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268HV
Напруги колектор-емітер
1,7кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
10А
Струм колектора в імпульсі
40А
Час ввімкнення
43нс
Час вимкнення
370нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
150Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний
Заряд затвора
65нКл
Технологія
BiMOSFET™
Додаткова інформація: Маса брутто: 3,93 g