0 0 0
  8. IXBT24N170

Транзистори IGBT SMD IXBT24N170

 
IXBT24N170
 
IXYS
Артикул: 220545
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 24А; 250Вт; TO268
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 833.52 грн
2+
1 733.64 грн
10+
1 731.26 грн
30+
1 688.46 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 23 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268(1625135)
Напруги колектор-емітер
1,7кВ(1440940)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
24А(1441030)
Струм колектора в імпульсі
230А(1634221)
Час ввімкнення
190нс(1751796)
Час вимкнення
1285нс(1751797)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний(1698741)
Заряд затвора
0,14мкКл(1950534)
Технологія
BiMOSFET™(1742772)
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,08 g
 
Транзистори IGBT SMD IXBT24N170
IXYS
Артикул: 220545
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 24А; 250Вт; TO268
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 833.52 грн
2+
1 733.64 грн
10+
1 731.26 грн
30+
1 688.46 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 23 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268
Напруги колектор-емітер
1,7кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
24А
Струм колектора в імпульсі
230А
Час ввімкнення
190нс
Час вимкнення
1285нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
250Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний
Заряд затвора
0,14мкКл
Технологія
BiMOSFET™
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,08 g