0 0 0
  8. IXBT42N170

Транзистори IGBT SMD IXBT42N170

 
IXBT42N170
 
IXYS
Артикул: 1174654
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 42А; 360Вт; D3PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 860.77 грн
2+
1 759.61 грн
30+
1 691.90 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D3PAK(1622346)
Напруги колектор-емітер
1,7кВ(1440940)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
42А(1441031)
Струм колектора в імпульсі
300А(1441736)
Час ввімкнення
224нс(1742884)
Час вимкнення
1,07мкс(1742885)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
360Вт(1702121)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний(1698741)
Заряд затвора
188нКл(1711211)
Технологія
FRED(1714399) BiMOSFET™(1742772)
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,04 g
 
Транзистори IGBT SMD IXBT42N170
IXYS
Артикул: 1174654
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 42А; 360Вт; D3PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 860.77 грн
2+
1 759.61 грн
30+
1 691.90 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
D3PAK
Напруги колектор-емітер
1,7кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
42А
Струм колектора в імпульсі
300А
Час ввімкнення
224нс
Час вимкнення
1,07мкс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
360Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний
Заряд затвора
188нКл
Технологія
FRED
Технологія
BiMOSFET™
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,04 g