0 0 0
  8. IXBT42N170A

Транзистори IGBT SMD IXBT42N170A

 
IXBT42N170A
 
IXYS
Артикул: 220548
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 21А; 357Вт; TO268
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 765.76 грн
2+
1 670.06 грн
3+
1 669.26 грн
30+
1 660.49 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268(1625135)
Напруги колектор-емітер
1,7кВ(1440940)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
21А(1586622)
Струм колектора в імпульсі
265А(1746884)
Час ввімкнення
33нс(1587343)
Час вимкнення
308нс(1751795)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
357Вт(1740831)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний(1698741)
Заряд затвора
188нКл(1711211)
Технологія
BiMOSFET™(1742772)
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,06 g
 
Транзистори IGBT SMD IXBT42N170A
IXYS
Артикул: 220548
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 21А; 357Вт; TO268
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 765.76 грн
2+
1 670.06 грн
3+
1 669.26 грн
30+
1 660.49 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268
Напруги колектор-емітер
1,7кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
21А
Струм колектора в імпульсі
265А
Час ввімкнення
33нс
Час вимкнення
308нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
357Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний
Заряд затвора
188нКл
Технологія
BiMOSFET™
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,06 g