0 0 0
  8. IXBT42N300HV

Транзистори IGBT SMD IXBT42N300HV

 
IXBT42N300HV
 
IXYS
Артикул: 220549
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 42А; 500Вт; TO268HV
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 766.58 грн
30+
3 621.32 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 16 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268HV(1500575)
Напруги колектор-емітер
3кВ(1742767)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
42А(1441031)
Струм колектора в імпульсі
400А(1441739)
Час ввімкнення
652нс(1751808)
Час вимкнення
950нс(1751809)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
500Вт(1701905)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний(1698741)
Заряд затвора
200нКл(1479291)
Технологія
BiMOSFET™(1742772)
Додаткова інформація: Маса брутто: 3,967 g
 
Транзистори IGBT SMD IXBT42N300HV
IXYS
Артикул: 220549
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 42А; 500Вт; TO268HV
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 766.58 грн
30+
3 621.32 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 16 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268HV
Напруги колектор-емітер
3кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
42А
Струм колектора в імпульсі
400А
Час ввімкнення
652нс
Час вимкнення
950нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
500Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний
Заряд затвора
200нКл
Технологія
BiMOSFET™
Додаткова інформація: Маса брутто: 3,967 g