0 0 0
  8. IXBX25N250

Транзистори IGBT THT IXBX25N250

 
IXBX25N250
 
IXYS
Артикул: 1171392
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 2,5кВ; 25А; 300Вт; PLUS247™
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 678.71 грн
10+
2 622.80 грн
30+
2 566.90 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PLUS247™(1692687)
Напруги колектор-емітер
2,5кВ(1733707)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
25А(1440980)
Струм колектора в імпульсі
180А(1441704)
Час ввімкнення
694нс(1751803)
Час вимкнення
650нс(1441620)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
300Вт(1701911)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний(1698741)
Заряд затвора
103нКл(1512596)
Технологія
BiMOSFET™(1742772)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,72 g
 
Транзистори IGBT THT IXBX25N250
IXYS
Артикул: 1171392
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 2,5кВ; 25А; 300Вт; PLUS247™
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 678.71 грн
10+
2 622.80 грн
30+
2 566.90 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
PLUS247™
Напруги колектор-емітер
2,5кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
25А
Струм колектора в імпульсі
180А
Час ввімкнення
694нс
Час вимкнення
650нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
300Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний
Заряд затвора
103нКл
Технологія
BiMOSFET™
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,72 g