0 0 0
  8. IXBX75N170A

Транзистори IGBT THT IXBX75N170A

 
IXBX75N170A
 
IXYS
Артикул: 221074
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 65А; 1,04кВт; PLUS247™
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
4 202.32 грн
10+
4 139.72 грн
30+
4 046.99 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 8 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PLUS247™(1692687)
Напруги колектор-емітер
1,7кВ(1440940)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
65А(1478929)
Струм колектора в імпульсі
300А(1441736)
Час ввімкнення
65нс(1626412)
Час вимкнення
595нс(1751507)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
1,04кВт(1742092)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний(1698741)
Заряд затвора
358нКл(1743053)
Технологія
BiMOSFET™(1742772)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,78 g
 
Транзистори IGBT THT IXBX75N170A
IXYS
Артикул: 221074
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 65А; 1,04кВт; PLUS247™
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
4 202.32 грн
10+
4 139.72 грн
30+
4 046.99 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 8 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
PLUS247™
Напруги колектор-емітер
1,7кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
65А
Струм колектора в імпульсі
300А
Час ввімкнення
65нс
Час вимкнення
595нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
1,04кВт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний
Заряд затвора
358нКл
Технологія
BiMOSFET™
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,78 g