0 0 0
  8. IXFB170N30P

Транзистори з каналом N THT IXFB170N30P

 
IXFB170N30P
 
IXYS
Артикул: 079043
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 300В; 170А; 1250Вт; 200нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 034.70 грн
2+
1 924.20 грн
25+
1 894.83 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PLUS264™(1699696)
Час готовності
200нс(1440083)
Напруга сток-джерело
300В(1441556)
Струм стока
170А(1441537)
Опір в стані провідності
18мОм(1441559)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,25кВт(1702376)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
258нКл(1705689)
Технологія
HiPerFET™(1667445) Polar™(1742961)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 10,23 g
 
Транзистори з каналом N THT IXFB170N30P
IXYS
Артикул: 079043
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 300В; 170А; 1250Вт; 200нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 034.70 грн
2+
1 924.20 грн
25+
1 894.83 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
PLUS264™
Час готовності
200нс
Напруга сток-джерело
300В
Струм стока
170А
Опір в стані провідності
18мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,25кВт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
258нКл
Технологія
HiPerFET™
Технологія
Polar™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 10,23 g