0 0 0
  8. IXFH20N100P

Транзистори з каналом N THT IXFH20N100P

 
IXFH20N100P
 
IXYS
Артикул: 079101
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 20А; 660Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 005.87 грн
2+
716.66 грн
4+
677.73 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Час готовності
300нс(1440076)
Напруга сток-джерело
1кВ(1441405)
Струм стока
20А(1441300)
Опір в стані провідності
570мОм(1714500)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
660Вт(1742821)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
126нКл(1629833)
Технологія
HiPerFET™(1667445) Polar™(1742961)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,103 g
 
Транзистори з каналом N THT IXFH20N100P
IXYS
Артикул: 079101
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 20А; 660Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 005.87 грн
2+
716.66 грн
4+
677.73 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Час готовності
300нс
Напруга сток-джерело
1кВ
Струм стока
20А
Опір в стані провідності
570мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
660Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
126нКл
Технологія
HiPerFET™
Технологія
Polar™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,103 g