0 0 0
  8. IXFJ20N85X

Транзистори з каналом N THT IXFJ20N85X

 
IXFJ20N85X
 
IXYS
Артикул: 079175
Транзистор: N-MOSFET; X-Class; польовий; 850В; 9,5А; Idm: 50А; 110Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
921.41 грн
2+
658.72 грн
5+
622.43 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 10 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
ISO247™(1708305)
Час готовності
190нс(1705688)
Напруга сток-джерело
850В(1441401)
Струм стока
9,5А(1479197)
Опір в стані провідності
0,36Ом(1638677)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
110Вт(1701955)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ultra junction x-class(1758349)
Заряд затвора
63нКл(1479469)
Технологія
HiPerFET™(1667445) X-Class(1743023)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
50А(1758516)
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,115 g
 
Транзистори з каналом N THT IXFJ20N85X
IXYS
Артикул: 079175
Транзистор: N-MOSFET; X-Class; польовий; 850В; 9,5А; Idm: 50А; 110Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
921.41 грн
2+
658.72 грн
5+
622.43 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 10 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
ISO247™
Час готовності
190нс
Напруга сток-джерело
850В
Струм стока
9,5А
Опір в стані провідності
0,36Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
110Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ultra junction x-class
Заряд затвора
63нКл
Технологія
HiPerFET™
Технологія
X-Class
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
50А
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,115 g