0 0 0
  8. IXFK420N10T

Транзистори з каналом N THT IXFK420N10T

 
IXFK420N10T
 
IXYS
Артикул: 985371
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; польовий; 100В; 420А; 1670Вт; TO264
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 129.02 грн
3+
1 067.84 грн
500+
1 026.53 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 49 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264(1492053)
Час готовності
140нс(1743126)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
420А(1717729)
Опір в стані провідності
2,6мОм(1479581)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1670Вт(1743036)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
670нКл(1743037)
Технологія
HiPerFET™(1667445) GigaMOS™(1717731) Trench™(1743125)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 9,775 g
 
Транзистори з каналом N THT IXFK420N10T
IXYS
Артикул: 985371
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; польовий; 100В; 420А; 1670Вт; TO264
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 129.02 грн
3+
1 067.84 грн
500+
1 026.53 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 49 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO264
Час готовності
140нс
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
420А
Опір в стані провідності
2,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1670Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
670нКл
Технологія
HiPerFET™
Технологія
GigaMOS™
Технологія
Trench™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 9,775 g