0 0 0
  7. IXFN32N100P

Транзисторні модулі MOSFET IXFN32N100P

 
IXFN32N100P
 
IXYS
Артикул: 268663
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 27А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 392.74 грн
2+
2 262.90 грн
3+
2 262.12 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Час готовності
300нс(1440076)
Напруга сток-джерело
1кВ(1441405)
Струм стока
27А(1441591)
Опір в стані провідності
0,32Ом(1638678)
Потужність розсіювання
690Вт(1742088)
Поляризація
польовий(1441242)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Заряд затвора
225нКл(1694855)
Технологія
HiPerFET™(1667445) Polar™(1742961)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
75А(1759383)
Додаткова інформація: Маса брутто: 37,01 g
 
Транзисторні модулі MOSFET IXFN32N100P
IXYS
Артикул: 268663
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 27А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 392.74 грн
2+
2 262.90 грн
3+
2 262.12 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Корпус
SOT227B
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Час готовності
300нс
Напруга сток-джерело
1кВ
Струм стока
27А
Опір в стані провідності
0,32Ом
Потужність розсіювання
690Вт
Поляризація
польовий
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Заряд затвора
225нКл
Технологія
HiPerFET™
Технологія
Polar™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
75А
Додаткова інформація: Маса брутто: 37,01 g