0 0 0
  7. IXFN340N07

Транзисторні модулі MOSFET IXFN340N07

 
IXFN340N07
 
IXYS
Артикул: 268667
Модуль; одиночний транзистор; 70В; 340А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 406.14 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Час готовності
200нс(1440083)
Напруга сток-джерело
70В(1441528)
Струм стока
340А(1479607)
Опір в стані провідності
4мОм(1479261)
Потужність розсіювання
700Вт(1741872)
Поляризація
польовий(1441242)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Заряд затвора
0,49мкКл(1950545)
Технологія
HiPerFET™(1667445)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
1,36кА(1758569)
Додаткова інформація: Маса брутто: 37,42 g
 
Транзисторні модулі MOSFET IXFN340N07
IXYS
Артикул: 268667
Модуль; одиночний транзистор; 70В; 340А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 406.14 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Корпус
SOT227B
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Час готовності
200нс
Напруга сток-джерело
70В
Струм стока
340А
Опір в стані провідності
4мОм
Потужність розсіювання
700Вт
Поляризація
польовий
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Заряд затвора
0,49мкКл
Технологія
HiPerFET™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1,36кА
Додаткова інформація: Маса брутто: 37,42 g