0 0 0
  7. IXFN400N15X3

Транзисторні модулі MOSFET IXFN400N15X3

 
IXFN400N15X3
 
IXYS
Артикул: 268672
Модуль; одиночний транзистор; 150В; 400А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 139.85 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Час готовності
132нс(1758348)
Напруга сток-джерело
150В(1441538)
Струм стока
400А(1479617)
Опір в стані провідності
2,5мОм(1479571)
Потужність розсіювання
695Вт(1741767)
Поляризація
польовий(1441242)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Заряд затвора
365нКл(1758347)
Технологія
HiPerFET™(1667445) X3-Class(1745112)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
900А(1714537)
Додаткова інформація: Маса брутто: 36,81 g
 
Транзисторні модулі MOSFET IXFN400N15X3
IXYS
Артикул: 268672
Модуль; одиночний транзистор; 150В; 400А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 139.85 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Корпус
SOT227B
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Час готовності
132нс
Напруга сток-джерело
150В
Струм стока
400А
Опір в стані провідності
2,5мОм
Потужність розсіювання
695Вт
Поляризація
польовий
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Заряд затвора
365нКл
Технологія
HiPerFET™
Технологія
X3-Class
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
900А
Додаткова інформація: Маса брутто: 36,81 g