Транзисторні модулі MOSFET IXFN44N80P

 
IXFN44N80P
 
Артикул: 268679
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 39А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 250.63 грн
2+
2 128.43 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 20 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Час готовності
250нс(1440084)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
39А(1479333)
Опір в стані провідності
0,19Ом(1492557)
Потужність розсіювання
694Вт(1742043)
Поляризація
польовий(1441242)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Заряд затвора
200нКл(1479291)
Технологія
HiPerFET™(1667445) Polar™(1742961)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
100А(1758515)
Додаткова інформація: Маса брутто: 37,31 g
 
Транзисторні модулі MOSFET IXFN44N80P
IXYS
Артикул: 268679
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 39А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 250.63 грн
2+
2 128.43 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 20 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Корпус
SOT227B
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Час готовності
250нс
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
39А
Опір в стані провідності
0,19Ом
Потужність розсіювання
694Вт
Поляризація
польовий
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Заряд затвора
200нКл
Технологія
HiPerFET™
Технологія
Polar™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
100А
Додаткова інформація: Маса брутто: 37,31 g