0 0 0
  7. IXFN50N120SIC

Транзисторні модулі MOSFET IXFN50N120SIC

 
IXFN50N120SIC
 
IXYS
Артикул: 268682
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
5 430.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 10 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Час готовності
26нс(1743045)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
30А(1441514)
Опір в стані провідності
50мОм(1441532)
Поляризація
польовий(1441242)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Заряд затвора
0,1мкКл(1950532)
Технологія
SiC(1591568) HiPerFET™(1667445)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-10...25В(1981126)
Додаткова інформація: Маса брутто: 37,45 g
 
Транзисторні модулі MOSFET IXFN50N120SIC
IXYS
Артикул: 268682
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
5 430.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 10 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Корпус
SOT227B
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Час готовності
26нс
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
30А
Опір в стані провідності
50мОм
Поляризація
польовий
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Заряд затвора
0,1мкКл
Технологія
SiC
Технологія
HiPerFET™
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-10...25В
Додаткова інформація: Маса брутто: 37,45 g