0 0 0
  7. IXFN56N90P

Транзисторні модулі MOSFET IXFN56N90P

 
IXFN56N90P
 
IXYS
Артикул: 268687
Модуль; одиночний транзистор; 900В; 56А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 933.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Час готовності
300нс(1440076)
Напруга сток-джерело
900В(1441403)
Струм стока
56А(1479382)
Опір в стані провідності
0,145Ом(1743039)
Потужність розсіювання
1кВт(1701923)
Поляризація
польовий(1441242)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Заряд затвора
375нКл(1745111)
Технологія
HiPerFET™(1667445) Polar™(1742961)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
168А(1759381)
Додаткова інформація: Маса брутто: 37,34 g
 
Транзисторні модулі MOSFET IXFN56N90P
IXYS
Артикул: 268687
Модуль; одиночний транзистор; 900В; 56А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 933.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Корпус
SOT227B
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Час готовності
300нс
Напруга сток-джерело
900В
Струм стока
56А
Опір в стані провідності
0,145Ом
Потужність розсіювання
1кВт
Поляризація
польовий
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Заряд затвора
375нКл
Технологія
HiPerFET™
Технологія
Polar™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
168А
Додаткова інформація: Маса брутто: 37,34 g