0 0 0
  7. IXFN90N170SK

Транзисторні модулі MOSFET IXFN90N170SK

 
IXFN90N170SK
 
IXYS
Артикул: 501952
Модуль; одиночний транзистор; 1,7кВ; 67А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
25 018.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга сток-джерело
1,7кВ(1593807)
Струм стока
67А(1479415)
Опір в стані провідності
23мОм(1441493)
Поляризація
польовий(1441242)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
376нКл(1743031)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 100 g
 
Транзисторні модулі MOSFET IXFN90N170SK
IXYS
Артикул: 501952
Модуль; одиночний транзистор; 1,7кВ; 67А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
25 018.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Корпус
SOT227B
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга сток-джерело
1,7кВ
Струм стока
67А
Опір в стані провідності
23мОм
Поляризація
польовий
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
376нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 100 g