Транзисторні модулі MOSFET IXFN94N50P2

 
IXFN94N50P2
 
Артикул: 268702
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 68А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 838.52 грн
2+
1 738.68 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Час готовності
250нс(1440084)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
68А(1492242)
Опір в стані провідності
55мОм(1441323)
Потужність розсіювання
780Вт(1741885)
Поляризація
польовий(1441242)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Заряд затвора
0,22мкКл(1950537)
Технологія
HiPerFET™(1667445) Polar2™(1743020)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
240А(1741658)
Додаткова інформація: Маса брутто: 37,5 g
 
Транзисторні модулі MOSFET IXFN94N50P2
IXYS
Артикул: 268702
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 68А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 838.52 грн
2+
1 738.68 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Корпус
SOT227B
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Час готовності
250нс
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
68А
Опір в стані провідності
55мОм
Потужність розсіювання
780Вт
Поляризація
польовий
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Заряд затвора
0,22мкКл
Технологія
HiPerFET™
Технологія
Polar2™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
240А
Додаткова інформація: Маса брутто: 37,5 g