0 0 0
  8. IXFT120N15P

Транзистори з каналом N SMD IXFT120N15P

 
IXFT120N15P
 
IXYS
Артикул: 077027
Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO268
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
737.32 грн
2+
529.95 грн
6+
500.55 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 30 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268(1625135)
Час готовності
200нс(1440083)
Напруга сток-джерело
150В(1441538)
Струм стока
120А(1441550)
Опір в стані провідності
16мОм(1479178)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
600Вт(1700331)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
150нКл(1479389)
Технологія
HiPerFET™(1667445) PolarHT™(1740479)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,055 g
 
Транзистори з каналом N SMD IXFT120N15P
IXYS
Артикул: 077027
Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO268
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
737.32 грн
2+
529.95 грн
6+
500.55 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 30 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268
Час готовності
200нс
Напруга сток-джерело
150В
Струм стока
120А
Опір в стані провідності
16мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
600Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
150нКл
Технологія
HiPerFET™
Технологія
PolarHT™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,055 g