0 0 0
  8. IXFT320N10T2

Транзистори з каналом N SMD IXFT320N10T2

 
IXFT320N10T2
 
IXYS
Артикул: 077053
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 320А; 1000Вт; TO268; 98нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 124.07 грн
3+
1 062.05 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268(1625135)
Час готовності
98нс(1758405)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
320А(1479602)
Опір в стані провідності
3,5мОм(1441303)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1кВт(1701923)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
thrench gate power mosfet(1758332)
Заряд затвора
430нКл(1758404)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 4 g
 
Транзистори з каналом N SMD IXFT320N10T2
IXYS
Артикул: 077053
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 320А; 1000Вт; TO268; 98нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 124.07 грн
3+
1 062.05 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268
Час готовності
98нс
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
320А
Опір в стані провідності
3,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1кВт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
thrench gate power mosfet
Заряд затвора
430нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 4 g