0 0 0
  8. IXFX360N15T2

Транзистори з каналом N THT IXFX360N15T2

 
IXFX360N15T2
 
IXYS
Артикул: 079422
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; польовий; 150В; 360А; 1670Вт; 150нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 865.28 грн
2+
1 763.64 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PLUS247™(1692687)
Час готовності
150нс(1440082)
Напруга сток-джерело
150В(1441538)
Струм стока
360А(1714523)
Опір в стані провідності
4мОм(1479261)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1670Вт(1743036)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
715нКл(1743035)
Технологія
HiPerFET™(1667445) GigaMOS™(1717731) TrenchT2™(1743041)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT IXFX360N15T2
IXYS
Артикул: 079422
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; польовий; 150В; 360А; 1670Вт; 150нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 865.28 грн
2+
1 763.64 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
PLUS247™
Час готовності
150нс
Напруга сток-джерело
150В
Струм стока
360А
Опір в стані провідності
4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1670Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
715нКл
Технологія
HiPerFET™
Технологія
GigaMOS™
Технологія
TrenchT2™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g