0 0 0
  7. IXG70IF1200NA

Модулі IGBT IXG70IF1200NA

 
IXG70IF1200NA
 
IXYS
Артикул: 502009
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 86А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 507.36 грн
2+
1 426.01 грн
3+
1 425.21 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Струм колектора
86А(1750660)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Технологія
X2PT(1791011)
Додаткова інформація: Маса брутто: 100 g
 
Модулі IGBT IXG70IF1200NA
IXYS
Артикул: 502009
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 86А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 507.36 грн
2+
1 426.01 грн
3+
1 425.21 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Струм колектора
86А
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Технологія
X2PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 100 g