0 0 0
  7. IXGN200N170

Модулі IGBT IXGN200N170

 
IXGN200N170
 
IXYS
Артикул: 268838
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 160А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
4 343.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
1,7кВ(1441074)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
160А(1612540)
Струм колектора в імпульсі
1,05кА(1750684)
Потужність розсіювання
1,25кВт(1702376)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
NPT(1714552)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Модулі IGBT IXGN200N170
IXYS
Артикул: 268838
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 160А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
4 343.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
1,7кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
160А
Струм колектора в імпульсі
1,05кА
Потужність розсіювання
1,25кВт
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
NPT
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g