0 0 0
  7. IXGN50N120C3H1

Модулі IGBT IXGN50N120C3H1

 
IXGN50N120C3H1
 
IXYS
Артикул: 901134
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 484.59 грн
2+
2 348.85 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 6 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
50А(1440988)
Струм колектора в імпульсі
240А(1694418)
Потужність розсіювання
460Вт(1741740)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
GenX3™(1746877) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 37,05 g
 
Модулі IGBT IXGN50N120C3H1
IXYS
Артикул: 901134
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 484.59 грн
2+
2 348.85 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 6 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
50А
Струм колектора в імпульсі
240А
Потужність розсіювання
460Вт
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
GenX3™
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 37,05 g