0 0 0
  8. IXGT10N170

Транзистори IGBT SMD IXGT10N170

 
IXGT10N170
 
IXYS
Артикул: 220563
Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 10А; 110Вт; TO268
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
683.46 грн
3+
490.57 грн
6+
463.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268(1625135)
Напруги колектор-емітер
1,7кВ(1440940)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
10А(1440949)
Струм колектора в імпульсі
70А(1733708)
Час ввімкнення
0,3мкс(1524286)
Час вимкнення
630нс(1751793)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
110Вт(1701955)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний(1698741)
Заряд затвора
32нКл(1479130)
Технологія
NPT(1714552)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори IGBT SMD IXGT10N170
IXYS
Артикул: 220563
Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 10А; 110Вт; TO268
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
683.46 грн
3+
490.57 грн
6+
463.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268
Напруги колектор-емітер
1,7кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
10А
Струм колектора в імпульсі
70А
Час ввімкнення
0,3мкс
Час вимкнення
630нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
110Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний
Заряд затвора
32нКл
Технологія
NPT
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g