0 0 0
  8. IXGT16N170

Транзистори IGBT SMD IXGT16N170

 
IXGT16N170
 
IXYS
Артикул: 220565
Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 16А; 190Вт; TO268
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 054.17 грн
2+
754.90 грн
4+
713.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268(1625135)
Напруги колектор-емітер
1,7кВ(1440940)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
16А(1440971)
Струм колектора в імпульсі
80А(1441679)
Час ввімкнення
90нс(1441743)
Час вимкнення
1,6мкс(1606192)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
190Вт(1740822)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний(1698741)
Заряд затвора
78нКл(1609951)
Технологія
NPT(1714552)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори IGBT SMD IXGT16N170
IXYS
Артикул: 220565
Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 16А; 190Вт; TO268
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 054.17 грн
2+
754.90 грн
4+
713.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268
Напруги колектор-емітер
1,7кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
16А
Струм колектора в імпульсі
80А
Час ввімкнення
90нс
Час вимкнення
1,6мкс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
190Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний
Заряд затвора
78нКл
Технологія
NPT
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g