0 0 0
  8. IXGT32N170

Транзистори IGBT SMD IXGT32N170

 
IXGT32N170
 
IXYS
Артикул: 220573
Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 32А; 350Вт; TO268
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 464.56 грн
2+
1 385.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268(1625135)
Напруги колектор-емітер
1,7кВ(1440940)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
32А(1441637)
Струм колектора в імпульсі
200А(1441618)
Час ввімкнення
90нс(1441743)
Час вимкнення
920нс(1751794)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
350Вт(1701906)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний(1698741)
Заряд затвора
155нКл(1479498)
Технологія
NPT(1714552)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори IGBT SMD IXGT32N170
IXYS
Артикул: 220573
Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 32А; 350Вт; TO268
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 464.56 грн
2+
1 385.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268
Напруги колектор-емітер
1,7кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
32А
Струм колектора в імпульсі
200А
Час ввімкнення
90нс
Час вимкнення
920нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
350Вт
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний
Заряд затвора
155нКл
Технологія
NPT
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g