0 0 0
  8. IXGT6N170AHV

Транзистори IGBT SMD IXGT6N170AHV

 
IXGT6N170AHV
 
IXYS
Артикул: 220578
Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 3А; 75Вт; TO268HV
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 213.63 грн
2+
860.08 грн
3+
859.29 грн
4+
813.31 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268HV(1500575)
Напруги колектор-емітер
1,7кВ(1440940)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
3А(1440902)
Струм колектора в імпульсі
14А(1441690)
Час ввімкнення
91нс(1606187)
Час вимкнення
271нс(1606188)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
75Вт(1701926)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний(1698741)
Заряд затвора
18,5нКл(1610058)
Технологія
NPT(1714552)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори IGBT SMD IXGT6N170AHV
IXYS
Артикул: 220578
Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 3А; 75Вт; TO268HV
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 213.63 грн
2+
860.08 грн
3+
859.29 грн
4+
813.31 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268HV
Напруги колектор-емітер
1,7кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
3А
Струм колектора в імпульсі
14А
Час ввімкнення
91нс
Час вимкнення
271нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
75Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний
Заряд затвора
18,5нКл
Технологія
NPT
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g