0 0 0
  7. IXKN40N60C

Транзисторні модулі MOSFET IXKN40N60C

 
IXKN40N60C
 
IXYS
Артикул: 268703
Модуль; одиночний транзистор; 600В; 40А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 304.63 грн
2+
2 178.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Час готовності
650нс(1758363)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
40А(1441305)
Опір в стані провідності
70мОм(1441497)
Потужність розсіювання
290Вт(1702088)
Поляризація
польовий(1441242)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Заряд затвора
250нКл(1705288)
Технологія
CoolMOS™(1601653)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Транзисторні модулі MOSFET IXKN40N60C
IXYS
Артикул: 268703
Модуль; одиночний транзистор; 600В; 40А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 304.63 грн
2+
2 178.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Корпус
SOT227B
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Час готовності
650нс
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
40А
Опір в стані провідності
70мОм
Потужність розсіювання
290Вт
Поляризація
польовий
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Заряд затвора
250нКл
Технологія
CoolMOS™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g