0 0 0
  7. IXKN75N60C

Транзисторні модулі MOSFET IXKN75N60C

 
IXKN75N60C
 
IXYS
Артикул: 268705
Модуль; одиночний транзистор; 600В; 50А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
4 553.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Час готовності
580нс(1743222)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
50А(1441504)
Опір в стані провідності
36мОм(1479276)
Потужність розсіювання
560Вт(1742076)
Поляризація
польовий(1441242)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Заряд затвора
500нКл(1743221)
Технологія
CoolMOS™(1601653)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
250А(1714519)
Додаткова інформація: Маса брутто: 36,01 g
 
Транзисторні модулі MOSFET IXKN75N60C
IXYS
Артикул: 268705
Модуль; одиночний транзистор; 600В; 50А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
4 553.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Корпус
SOT227B
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Час готовності
580нс
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
50А
Опір в стані провідності
36мОм
Потужність розсіювання
560Вт
Поляризація
польовий
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Заряд затвора
500нКл
Технологія
CoolMOS™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
250А
Додаткова інформація: Маса брутто: 36,01 g