0 0 0
  8. IXTA110N055T2

Транзистори з каналом N SMD IXTA110N055T2

 
IXTA110N055T2
 
IXYS
Артикул: 077097
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 180Вт; TO263; 38нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
176.22 грн
3+
161.14 грн
8+
127.80 грн
22+
121.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Час готовності
38нс(1710452)
Напруга сток-джерело
55В(1441361)
Струм стока
110А(1479508)
Опір в стані провідності
6,6мОм(1599494)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
180Вт(1701962)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
thrench gate power mosfet(1758332)
Заряд затвора
57нКл(1479286)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD IXTA110N055T2
IXYS
Артикул: 077097
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 180Вт; TO263; 38нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
176.22 грн
3+
161.14 грн
8+
127.80 грн
22+
121.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Час готовності
38нс
Напруга сток-джерело
55В
Струм стока
110А
Опір в стані провідності
6,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
180Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
thrench gate power mosfet
Заряд затвора
57нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,5 g