0 0 0
  8. IXTA110N12T2

Транзистори з каналом N SMD IXTA110N12T2

 
IXTA110N12T2
 
IXYS
Артикул: 077098
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 110А; 517Вт; TO263; 64нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
241.66 грн
3+
216.93 грн
6+
170.67 грн
16+
161.10 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Час готовності
64нс(1758406)
Напруга сток-джерело
120В(1520458)
Струм стока
110А(1479508)
Опір в стані провідності
14мОм(1441294)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
517Вт(1741909)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
thrench gate power mosfet(1758332)
Заряд затвора
0,12мкКл(1950533)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD IXTA110N12T2
IXYS
Артикул: 077098
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 110А; 517Вт; TO263; 64нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
241.66 грн
3+
216.93 грн
6+
170.67 грн
16+
161.10 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Час готовності
64нс
Напруга сток-джерело
120В
Струм стока
110А
Опір в стані провідності
14мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
517Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
thrench gate power mosfet
Заряд затвора
0,12мкКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,5 g