0 0 0
  8. IXTA120N04T2

Транзистори з каналом N SMD IXTA120N04T2

 
IXTA120N04T2
 
IXYS
Артикул: 077099
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; 200Вт; TO263; 35нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
174.66 грн
3+
159.51 грн
8+
125.21 грн
22+
118.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Час готовності
35нс(1440096)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
120А(1441550)
Опір в стані провідності
6,1мОм(1599493)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
200Вт(1701925)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
thrench gate power mosfet(1758332)
Заряд затвора
58нКл(1478954)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,467 g
 
Транзистори з каналом N SMD IXTA120N04T2
IXYS
Артикул: 077099
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; 200Вт; TO263; 35нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
174.66 грн
3+
159.51 грн
8+
125.21 грн
22+
118.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Час готовності
35нс
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
120А
Опір в стані провідності
6,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
200Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
thrench gate power mosfet
Заряд затвора
58нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,467 g