0 0 0
  8. IXTA120N075T2

Транзистори з каналом N SMD IXTA120N075T2

 
IXTA120N075T2
 
IXYS
Артикул: 077100
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 120А; 250Вт; TO263; 50нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
256.81 грн
3+
230.49 грн
6+
181.84 грн
10+
181.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 16 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Час готовності
50нс(1440089)
Напруга сток-джерело
75В(1441319)
Струм стока
120А(1441550)
Опір в стані провідності
7,7мОм(1599917)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
thrench gate power mosfet(1758332)
Заряд затвора
78нКл(1609951)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,487 g
 
Транзистори з каналом N SMD IXTA120N075T2
IXYS
Артикул: 077100
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 120А; 250Вт; TO263; 50нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
256.81 грн
3+
230.49 грн
6+
181.84 грн
10+
181.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 16 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Час готовності
50нс
Напруга сток-джерело
75В
Струм стока
120А
Опір в стані провідності
7,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
250Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
thrench gate power mosfet
Заряд затвора
78нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,487 g