0 0 0
  8. IXTA170N075T2

Транзистори з каналом N SMD IXTA170N075T2

 
IXTA170N075T2
 
IXYS
Артикул: 077109
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 170А; 360Вт; TO263; 63нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
250.33 грн
3+
225.70 грн
6+
181.19 грн
16+
170.86 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 50 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Час готовності
63нс(1758396)
Напруга сток-джерело
75В(1441319)
Струм стока
170А(1441537)
Опір в стані провідності
5,4мОм(1599146)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
360Вт(1702121)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
thrench gate power mosfet(1758332)
Заряд затвора
109нКл(1757721)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,49 g
 
Транзистори з каналом N SMD IXTA170N075T2
IXYS
Артикул: 077109
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 170А; 360Вт; TO263; 63нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
250.33 грн
3+
225.70 грн
6+
181.19 грн
16+
170.86 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 50 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Час готовності
63нс
Напруга сток-джерело
75В
Струм стока
170А
Опір в стані провідності
5,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
360Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
thrench gate power mosfet
Заряд затвора
109нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,49 g