Транзистори з каналом N SMD IXTA1N100P

 
IXTA1N100P
 
Артикул: 077111
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 1А; 50Вт; TO263; 750нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
155.52 грн
3+
141.17 грн
9+
109.26 грн
25+
102.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Час готовності
750нс(1758424)
Напруга сток-джерело
1кВ(1441405)
Струм стока
(1441586)
Опір в стані провідності
15Ом(1459386)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
50Вт(1520816)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
standard power mosfet(1758416)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD IXTA1N100P
IXYS
Артикул: 077111
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 1А; 50Вт; TO263; 750нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
155.52 грн
3+
141.17 грн
9+
109.26 грн
25+
102.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Час готовності
750нс
Напруга сток-джерело
1кВ
Струм стока
Опір в стані провідності
15Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
50Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
standard power mosfet
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,5 g