0 0 0
  8. IXTA1N120P

Транзистори з каналом N SMD IXTA1N120P

 
IXTA1N120P
 
IXYS
Артикул: 077112
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 1А; 63Вт; TO263; 900нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
312.64 грн
3+
281.53 грн
5+
220.92 грн
13+
208.96 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Час готовності
900нс(1708304)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
1А(1441586)
Опір в стані провідності
20Ом(1459375)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
63Вт(1520822)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
standard power mosfet(1758416)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD IXTA1N120P
IXYS
Артикул: 077112
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 1А; 63Вт; TO263; 900нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
312.64 грн
3+
281.53 грн
5+
220.92 грн
13+
208.96 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Час готовності
900нс
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
1А
Опір в стані провідності
20Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
63Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
standard power mosfet
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,5 g