Транзистори з каналом N SMD IXTA1R6N100D2

 
IXTA1R6N100D2
 
Артикул: 077117
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 1,6А; 100Вт; TO263; 11нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
191.24 грн
3+
171.32 грн
8+
137.85 грн
20+
130.68 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Час готовності
11нс(1748262)
Напруга сток-джерело
1кВ(1441405)
Струм стока
1,6А(1479099)
Опір в стані провідності
10Ом(1441657)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
100Вт(1701916)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
645нКл(1748261)
Вид каналу
збіднений(1536799)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD IXTA1R6N100D2
IXYS
Артикул: 077117
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 1,6А; 100Вт; TO263; 11нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
191.24 грн
3+
171.32 грн
8+
137.85 грн
20+
130.68 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Час готовності
11нс
Напруга сток-джерело
1кВ
Струм стока
1,6А
Опір в стані провідності
10Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
100Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
645нКл
Вид каналу
збіднений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,5 g