0 0 0
  8. IXTA200N055T2

Транзистори з каналом N SMD IXTA200N055T2

 
IXTA200N055T2
 
IXYS
Артикул: 077120
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 200А; 360Вт; TO263; 49нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
248.69 грн
3+
224.06 грн
6+
183.54 грн
15+
174.00 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Час готовності
49нс(1758388)
Напруга сток-джерело
55В(1441361)
Струм стока
200А(1441529)
Опір в стані провідності
4,2мОм(1479514)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
360Вт(1702121)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
thrench gate power mosfet(1758332)
Заряд затвора
109нКл(1757721)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,53 g
 
Транзистори з каналом N SMD IXTA200N055T2
IXYS
Артикул: 077120
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 200А; 360Вт; TO263; 49нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
248.69 грн
3+
224.06 грн
6+
183.54 грн
15+
174.00 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Час готовності
49нс
Напруга сток-джерело
55В
Струм стока
200А
Опір в стані провідності
4,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
360Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
thrench gate power mosfet
Заряд затвора
109нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,53 g