0 0 0
  8. IXTA24P085T

Транзистори з каналом P SMD IXTA24P085T

 
IXTA24P085T
 
IXYS
Артикул: 140827
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -24А; 83Вт; TO263
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
163.83 грн
3+
146.83 грн
9+
117.46 грн
24+
111.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Час готовності
40нс(1440103)
Напруга сток-джерело
-85В(1599218)
Струм стока
-24А(1478967)
Опір в стані провідності
65мОм(1441555)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
83Вт(1702256)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
41нКл(1479238)
Технологія
TrenchP™(1743213)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,53 g
 
Транзистори з каналом P SMD IXTA24P085T
IXYS
Артикул: 140827
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -24А; 83Вт; TO263
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
163.83 грн
3+
146.83 грн
9+
117.46 грн
24+
111.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Час готовності
40нс
Напруга сток-джерело
-85В
Струм стока
-24А
Опір в стані провідності
65мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
83Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
41нКл
Технологія
TrenchP™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,53 g