0 0 0
  8. IXTA26P10T

Транзистори з каналом P SMD IXTA26P10T

 
IXTA26P10T
 
IXYS
Артикул: 140828
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -26А; 150Вт; TO263
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
269.33 грн
3+
243.04 грн
6+
194.43 грн
15+
184.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Час готовності
70нс(1737472)
Напруга сток-джерело
-100В(1478949)
Струм стока
-26А(1743771)
Опір в стані провідності
90мОм(1479066)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
150Вт(1701910)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
52нКл(1479036)
Технологія
TrenchP™(1743213)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,545 g
 
Транзистори з каналом P SMD IXTA26P10T
IXYS
Артикул: 140828
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -26А; 150Вт; TO263
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
269.33 грн
3+
243.04 грн
6+
194.43 грн
15+
184.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Час готовності
70нс
Напруга сток-джерело
-100В
Струм стока
-26А
Опір в стані провідності
90мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
150Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
52нКл
Технологія
TrenchP™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,545 g