0 0 0
  8. IXTA32N20T

Транзистори з каналом N SMD IXTA32N20T

 
IXTA32N20T
 
IXYS
Артикул: 077133
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 32А; 200Вт; TO263; 110нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
118.38 грн
3+
106.47 грн
10+
94.55 грн
12+
85.01 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Час готовності
110нс(1634232)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
32А(1441566)
Опір в стані провідності
78мОм(1479284)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
200Вт(1701925)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
thrench gate power mosfet(1758332)
Заряд затвора
38нКл(1479182)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD IXTA32N20T
IXYS
Артикул: 077133
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 32А; 200Вт; TO263; 110нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
118.38 грн
3+
106.47 грн
10+
94.55 грн
12+
85.01 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Час готовності
110нс
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
32А
Опір в стані провідності
78мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
200Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
thrench gate power mosfet
Заряд затвора
38нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,5 g