0 0 0
  8. IXTA60N20T

Транзистори з каналом N SMD IXTA60N20T

 
IXTA60N20T
 
IXYS
Артикул: 077156
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 60А; 500Вт; TO263; 118нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
348.55 грн
3+
313.78 грн
4+
250.40 грн
11+
236.49 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 14 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Час готовності
118нс(1758411)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
60А(1441312)
Опір в стані провідності
40мОм(1441515)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
500Вт(1701905)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
thrench gate power mosfet(1758332)
Заряд затвора
73нКл(1479024)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,54 g
 
Транзистори з каналом N SMD IXTA60N20T
IXYS
Артикул: 077156
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 60А; 500Вт; TO263; 118нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
348.55 грн
3+
313.78 грн
4+
250.40 грн
11+
236.49 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 14 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Час готовності
118нс
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
60А
Опір в стані провідності
40мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
500Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
thrench gate power mosfet
Заряд затвора
73нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,54 g